GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
作者:标准资料网 时间:2024-05-15 03:01:33 浏览:9287
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基本信息
| 标准名称： | 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 |
| 英文名称： | Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 2009-10-30 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 起草人： | 褚连青、王奕、魏利洁 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 16页 |
| 计划单号： | 20070863-T-469 |
适用范围
本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。
本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。
本标准适用于各种棒、块、粒、鋉片形多晶或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,根据样品重量计算结果。
前言
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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